日本理學(xué)全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760-華普通用
型號(hào)：
全反射 X 射線熒光光譜儀表面污染計(jì)量測(cè)量離散點(diǎn)的元素污染或使用完整的晶圓圖
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產(chǎn)品描述
全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760分析可以測(cè)量所有晶圓廠工藝中的污染，包括清潔、光刻、蝕刻、灰化、薄膜等。全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760 可以使用單目標(biāo) 3 光束 X 射線系統(tǒng)和無(wú)液氮探測(cè)器系統(tǒng)測(cè)量從鈉到 U 的元素。
全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760 包括理學(xué)獲得專(zhuān)利的 XYθ 樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空晶圓機(jī)器人傳輸系統(tǒng)和新的用戶(hù)友好型窗口軟件。所有這些都有助于提高吞吐量、更高的準(zhǔn)確度和精度，以及簡(jiǎn)化的日常操作。
可選的掃描TXRF軟件可以繪制晶圓表面上的污染物分布圖，以識(shí)別可以更高精度自動(dòng)重新測(cè)量的“熱點(diǎn)”?？蛇x的 ZEE-TXRF 功能克服了原始 TXRF 設(shè)計(jì)歷史上 15 mm 邊緣排除的問(wèn)題，使測(cè)量能夠以零邊緣排除進(jìn)行。
特征
易于操作，分析結(jié)果快速
接受 200 mm 及更小的晶圓
緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積
大功率旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極源
多種分析元素（Na~U）
輕元素靈敏度（針對(duì)鈉、鎂和鋁）
應(yīng)用于裸硅和非硅基板
從缺陷檢測(cè)工具導(dǎo)入測(cè)量坐標(biāo)以進(jìn)行后續(xù)分析
規(guī)格
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | TXRF 3760 |
| 技術(shù) | 全反射 X 射線熒光 （TXRF） |
| 效益 | 從Na到U的快速元素分析，以測(cè)量所有晶圓廠工藝中的晶圓污染 |
| 科技 | 帶無(wú)液氮探測(cè)器的 3 光束 TXRF 系統(tǒng) |
| 核心屬性 | 高達(dá) 200 mm 的晶圓、XYθ 樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空晶圓機(jī)器人傳輸系統(tǒng)、ECS/GEM 通信軟件 |
| 核心選項(xiàng) | 掃描TXRF軟件可以繪制晶圓表面上的污染物分布圖，以識(shí)別“熱點(diǎn)”。ZEE-TXRF 功能可實(shí)現(xiàn)零邊緣排除的測(cè)量 |
| 計(jì)算機(jī) | 內(nèi)置電腦，微軟視窗操作系統(tǒng)? |
| 核心尺寸 | 1000 （寬） x 1760 （高） x 948 （深） 毫米 |
| 質(zhì)量 | 100 千克（核心單元） |
| 電源要求 | 3?， 200 VAC 50/60 Hz， 100 A |